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    BluGlass新GaN制備工藝實現(xiàn)成本節(jié)約

       
        發(fā)布日期:2009-09-02         
    閱讀:100     
     
     

    BluGlass委托的獨立公司-Williams & Kelly (WWK)對使用RPCVD(遙控等離子化學氣相沉積)在玻璃襯底上沉積的GaN LED與MOCVD法制備的LED進行了建模比較,發(fā)現(xiàn)前者將外延片的生產成本降低了48%,單個LED的成本也下降了10%。

      由于RPCVD使用氮代替氨氣并將藍寶石襯底變成玻璃襯底,使得材料和一次性費用減少了70%。而RPCVD本身工作溫度比MOCVD低,這意味著七年壽命周期后其運行成本將比MOCVD少800萬美元。

      但RPCVD法在芯片級實現(xiàn)的成本節(jié)約卻不太明顯。假定藍寶石上GaN (GaN-on-sapphire)外延片和玻璃板上GaN(GaN-on-glass)外延片的后端加工成本相同,WWK的模型顯示RPCVD法制備的 LED芯片成本僅比傳統(tǒng)藍光LED芯片低10%。(http://compoundsemiconductor.net/articles/news/11/4/4/1)

     

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