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一般芯片在經(jīng)過工程初步樣品確認（如亮度、顏色等）后，就要經(jīng)過一個小批量的試產(chǎn)，針對試產(chǎn)個人憑經(jīng)驗貢獻一點微薄的建議 供參考：
先看看流程：
來料檢驗==>安排試產(chǎn)==>固晶實驗 ==> 焊線實驗==>老化實驗==>不良分析==>OK/NG
一、來料檢驗
檢驗項目包括：
1、來料資料有無規(guī)格書（沒有規(guī)格書不建議盲目的去實驗）；
2、來料的芯片參數(shù)（亮度、電壓、波長等）是否符合規(guī)格要求，外觀（電極位置）是否與規(guī)格書上相同；
3、尺寸測量：需要采用精確的高倍顯微鏡進行測量，實際尺寸是否符合要求；
包括芯片的長、寬、高、電極大小等
4、電性檢測：VF、IV、WL、IR、極性等實際測試是否符合要求。此項有很多廠商沒有條件測試，建議在試做過程中去做成成品測試（但極性最好先進行確認）；
二、外觀檢查OK后就開始進行排單實驗其他性能是否適合批量投產(chǎn)
排單時候最好選用你用此種芯片準備做的產(chǎn)品，便于日后比對。支架等選用后進入首個工序：
（試產(chǎn)時候相關(guān)等文件要下發(fā)到生產(chǎn)，千萬不要固錯，每個工序均要注意靜電的影響，有特殊要求要特別指出）
1、固晶 評估項目：
a.PR識別的能力（打多少分數(shù)）
b.氣壓壓力
c.頂針高度
d.吸嘴大小
e.焊頭壓力
f.芯片膜的粘性
g.產(chǎn)能如何等，
h.推力（推后現(xiàn)象）
若有問題均要有記錄。
2、焊線 評估項目：
a.焊線壓力
b.功率
c.時間
d.焊線熱板溫度
e.PR識別能力
f.弧高
g.金球大小
h.產(chǎn)能
i.拉力大�。〝帱c位置）
若有問題均要有記錄。
3、其他工序按正常流程（如封膠、一切、而且）
4、排測試時候所有不良品均要保留分析，分光后要不良品更要保留分析，并且按正常分光標準分光，統(tǒng)計分檔比例，數(shù)據(jù)保留。
5、老化實驗（很多廠實驗后就因交期問題草草上線批量投產(chǎn)，要提醒這個是有風險的，若有問題是致命的，建議慎重！）
a.有條件的可以做一些靜電測試，確認到底是奈多少V靜電（esd）；
b.按信賴性實驗標準取材料準備分別做以下實驗：
實驗前產(chǎn)品需要編號測試VF/IR/IV/WL性能，產(chǎn)品要與數(shù)據(jù)一一對應(yīng)），
實驗一：常溫點亮保存（例如條件 Ta=25±5℃,RH=55±20%RH，20mA通電1000hrs）
實驗二：高溫高濕點亮（例如條件 Ta=85+5、-3℃,RH=85%+5、-10%，20mA通電1000hrs）
實驗三：冷熱沖擊 （例如條件 Ta=85℃（30分鐘）--Ta=25℃（30分鐘）--Ta=-40℃（30分鐘）--Ta=85℃（30分鐘） 再如：Ta=85℃（30分鐘）--Ta=40℃（30分鐘）
其他實驗可以根據(jù)自己的需要進行選擇；
實驗過程中建議每200個小時測試一次；
所有不良品均要分析。
結(jié)束：最后實驗結(jié)果請根據(jù)自己公司制定的判定標準進行判定是否合格。后面如何處理就不用說了吧。
希望本文章能給你的工作帶來幫助！感謝您的支持！
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