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摘要:多芯片集成是大功率光源的實現(xiàn)形式之一。本文歸納了多芯片集成功率光源的優(yōu)點和缺點,分析了需要解決的主要技術(shù)問題,展示了目前的進展,提出了對未來走向的看法。
目 錄
- 實現(xiàn)白光LED的方法
- 實現(xiàn)大功率LED的方法
- 多芯片封裝的優(yōu)缺點
- 需要解決的主要問題
- 目前進展
- 發(fā)展趨勢
- 結(jié)束語
1 實現(xiàn)白光LED的方法
| 方式 |
源 |
發(fā)光材料 |
備注 |
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單芯片 |
藍色LED |
InGaN/YAG熒光粉 |
已實用 |
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藍色LED |
InGaN/熒光染料 |
藍光激發(fā)產(chǎn)生藍綠紅三色染料 |
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藍色LED |
ZnSe |
外延層出現(xiàn)藍光,激發(fā)襯底出黃光 |
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紫外LED |
InGaN/熒光粉 |
紫外光激發(fā)三基色熒光粉 |
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雙芯片 |
藍色LED+黃綠LED |
InGaN/GaP |
補色產(chǎn)生白光 |
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藍色LED+黃色LED |
InGaN/AlGaInP |
補色產(chǎn)生白光 |
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三芯片 |
藍色LED+綠色LED+紅色LED |
InGaN/AlGaInP |
三基色 |
2 實現(xiàn)大功率LED的方法
- 大功率 LED單芯片封裝
- 多芯片小功率LED芯片封裝
3 多芯片小功率LED封裝的優(yōu)缺點
優(yōu)點:
- 芯片成本較低
- 光效更高,光衰更慢
- 芯片貨源充足,適合中國的國情(不能生產(chǎn)大功率芯片)
- 單位面積的芯片數(shù)可靈活設(shè)計,可以根據(jù)需要封裝成不同的點光源或者面光源
- 通過不同組合可以適應(yīng)不同的電壓和電流,適應(yīng)驅(qū)動器設(shè)計,從而提高整體光效
- 易于解決散熱問題
缺點:
- 工藝較復(fù)雜
- 光源體積更大
- 出現(xiàn)可靠性問題的幾率更高
- 對二次光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計要求高
4 需要解決的主要問題
- 壽 命
- 光 效
- 工 藝
- 可靠性
- 成 本
—壽命
- 影響壽命的因素包括芯片、熒光粉、加工工藝、工作點設(shè)定和環(huán)境溫度等等。
- 降低PN結(jié)到基板的熱阻,設(shè)計良好的散熱條件十分關(guān)鍵。
—光效
- 影響光效的因素主要是芯片光效、熒光粉的選擇和涂敷(三基色的比例)、光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計和制作、驅(qū)動器效率。
- 在芯片確定后,光學(xué)系統(tǒng)起著決定性的作用。
—工藝
- LED光源的制作是光機電的結(jié)合,工藝的設(shè)計和制造十分重要。
- 光效、壽命、可靠性等均與工藝密切相關(guān)。
- 工藝問題包括芯片篩選、貼片的一致性、焊接的可靠性、退火溫度和時間、光學(xué)系統(tǒng)的制作等。
—可靠性
- 可靠性問題是最突出的問題。
- 影響可靠性的因素貫穿在自原始芯片到封裝過程的所有環(huán)節(jié)。
- 焊接工藝、退火工藝和驅(qū)動電路的設(shè)計至關(guān)重要。
- 要協(xié)調(diào)解決光效、光衰和可靠性之間的矛盾。
—成本
- 性/價比是影響LED照明推廣應(yīng)用的關(guān)鍵。
- 小功率應(yīng)用中,多芯片光源的優(yōu)勢體現(xiàn)不出來。多芯片光源的對手是單芯片大功率LED。
- 采用更低成本的小功率芯片與微細加工技術(shù)的完美結(jié)合,實現(xiàn)高性/價比。
5 目前進展
- —3W多芯片光源
- —1W多芯片光源
- —5W多芯片光源
- —22W燈板制作的廣告射燈
- —270W墻體射燈樣品
- —2-5W射燈
- —3-7W水下射燈
6 發(fā)展趨勢
- 單芯片功率將越來越大,但要用于大功率照明還需要集成。
- 多芯片集成技術(shù)將成為LED照明的關(guān)鍵技術(shù)。
- 多芯片方法目前將主要用于單芯片功率難以達到的地方。
- 由于方法本身所決定,三基色將在多芯片集成方法得到快速使用。
- 微細工藝的技術(shù)進步,二次、三次光學(xué)系統(tǒng)的使用,將使多芯片光源的光效以數(shù)倍的速度提高。
- 隨著芯片的發(fā)展,多芯片光源的性/價比將迅速得到提高,價格的障礙將很快打破。
7 結(jié)束語
- 由于單芯片功率的局限,在相當(dāng)長時間里多芯片集成功率光源將是大功率照明的主要光源。
- 由于性/價比因素和國內(nèi)的芯片來源情況,用戶將更多選擇多芯片集成功率光源,因此將會有更多的用戶關(guān)注它的進展,更多的企業(yè)參與它的開發(fā)。
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