摘要：本發(fā)明展示幾種新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導體發(fā)光二極管封裝基座及其生產(chǎn)的工藝。
主要特征如下：在保持封裝基座的外形尺寸不變和易于批量生產(chǎn)的情況下，擴大熱沉底部的接觸面積。
主要工藝步驟如下：制造金屬支架模片，注塑金屬支架模片形成封裝基座模片（不包括熱沉），在每一個封裝基座的背面點膠，把熱沉放置在每一個封裝基座中，固化膠。
本發(fā)明揭示的新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導體發(fā)光二極管封裝基座（包括熱沉），也可以應用于其他半導體芯片或器件的封裝基座。
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